BYV32E-150_4
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Product data sheet Rev. 04 — 2 March 2009 4 of 9
NXP Semiconductors
BYV32E-150
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 150 V
5. Thermal characteristics
6. Characteristics
Table 5. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-mb)
thermal resistance from
with heatsink compound; both diodes
junction to mounting
base
conducting
--1.6K/W
with heatsink compound; per diode; see
Figure 3
--2.4K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
-60-K/W
Fig 3. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
003aac980
1
10?1
10
Zth(j-mb)
(K/W)
10?3
?6
10?2
tp
(s)
10
10
1
10?1
10?5
10?3
10?2
10?4
tp
t
=
p
T
P
t
T
δ
Table 6. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=8A; Tj
= 150 °C; see Figure 4
- 0.72 0.85 V
IF
=20A; Tj
=25°C - 1 1.15 V
IR
reverse current VR
=150V; Tj
= 100 °C - 0.2 0.6 mA
VR
=150V; Tj
=25°C - 6 30 μA
Dynamic characteristics
Qr
recovered charge IF
=2A; VR
=30V; dIF/dt = 20 A/μs;
Tj
=25°C
-812.5nC
trr
reverse recovery time IF
=1A; VR
=30V; dIF/dt = 100 A/μs;
ramp recovery; Tj
= 25 °C; see Figure 5
-2025ns
IF
=1A; IR
= 0.5 A; step recovery;
measured at reverse current = 0.25 A;
Tj
=25°C; see Figure 6
-1020ns
VFR
forward recovery
voltage
IF
=1A; dIF/dt = 10 A/μs; see Figure 7
--1V
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